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    不同電荷儲存層之奈米晶記憶體研究
    • /98/ 碩士
    • 研究生: 陳勇全 指導教授: 郭東昊
    • 近年來,傳統浮動閘極記憶體面臨尺寸微縮的挑戰,例如在穿隧氧化層之非揮發性記憶體在一個很長的操作期間,容易地產生漏電流路徑,因此,分散的儲存電荷之奈米晶結構是下一代非揮發性記憶體元件結構。 本實驗以濺…
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